Rohan Paul

tomshardware：台积电表示将继续是一家纯粹的逻辑代工厂，否认了英伟达将其推向 3D DRAM 的报道。 有报道称，台积电在其最大客户英伟达的要求下开始起草3D DRAM计划。 Nvidia 有理由关注，因为人工智能需求已经耗尽了 DRAM 供应，并将内存变成了决定加速器是否出货的部分。 3D DRAM 垂直堆叠存储单元以提高每片晶圆的容量，但即使是美光科技在采用它之前也计划至少增加 4 个平面节点。 这个时间表意味着台积电的进入至少在 5 年内无法缓解短缺问题，而且台积电缺乏有竞争力的平面 DRAM 工艺可供构建。 相反，通过构建 HBM 基础芯片并使用 SoIC 混合键合将内存与逻辑键合，它无需制造内存就已经从内存中获利。 另外，韩国的一份报告称，英伟达希望三星、SK 海力士和美光在台积电的 3nm 工艺上构建其定制的 NVHBM 基础芯片，这将在不影响 DRAM 价格波动的情况下为台积电带来内存收入。